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成都电子元器件 |半导体放电管工作原理、特性及选型指南发布日期：(2023/8/24) 点击次数：308 |
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一、半导体放电管工作原理 半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、操作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。 二、半导体放电管特点特性 1、 精确的导通击穿电压，反向截止电压范围为6V-600V； 2、 快速的响应速度快：小于1nS 3、 在8/20μs波形下通流量为几百安培； 4、低结电容，电容值在几十皮法至一百多皮法； 5、 漏电流小，一般为几微安甚至零点几微安； 6、 有插件、贴片、阵列式等封装形式； 三、半导体放电管选型指南 1.半导体放电管的反向截止电压要大于被保护电路的Z大工作电压，否则的话，不仅影响被保护电路的正常工作，还影响TSS的使用寿命； 2.Z大瞬间峰值电流IPP须大于通讯设备标准的规定值； 3.转折电压要小于被保护电路所允许的Z大瞬间峰值电压； 4.半导体放电管处于导通状态时，所损耗的功率应小于其额定功率； 5.如果想要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH须大于系统所能能提供的电流值；  • VDRM：反向截止电压，也称断态重复峰值电压，断态时刻施加的包含所有直流和重复性电压分量的额定Z高瞬时电压； • IDRM：反向Z大漏电流，也称断态重复峰值电流，是指施加断态重复峰值电压VDRM产生的峰值断态电流； • IH：维持电流，维持晶闸管通态的Z小电流； • VT：通态电压，在规定通态电流IT条件下器件两端电压； • IT：通态电流，在通态条件下，流过器件的电流； • VS：开关电压，开关电压定义为器件转换进入通态前，在击穿区终点时器件两端的瞬时电压； • IS：开关电流，在开关电压VS条件下流过器件的瞬时电流； • VPP：峰值脉冲电压，给定波形下半导体放电管可通过的Z大峰值脉冲电压值； • IPP：峰值脉冲电流，给定波形下半导体放电管可通过的Z大峰值脉冲电流； 五、半导体放电管典型应用 半导体放电管TSS广泛应用于通信、安防、工业等电子产品的通信线保护中，电话机、传真机、Modem、XDSL终端、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。 成都吉朗科技有限公司是安升电子（深圳）有限公司在西南的分公司，专业从事电子元器件代理配套和提供技术支持等服务，在这一领域深耕了17年，主营产品有电容、电阻、电感、二三极管、MOS、IC、保护器件、晶振等；客户遍布全球，在通讯、汽车电子、工控、仪器仪表、医疗等各领域与客户紧密合,如有需要，欢迎来电咨询！ |
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